Samsung的Nand Flash的ID命名规则(Code Information)，即从芯片型号(Part Number)读懂芯片详细信息 + 举例K9GAG08U0M说明

最后更新：2012-08-08

此贴的链接已添至：三星(Samsung)的Nand Flash芯片的命名规则

【Samsung ：NAND Flash Code Information】

1. pdf下载

三星的NAND Flash Code Information：

http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/productInfo.do?fmly_id=672&partnum=K9GAG08U0M此地址已失效。经过搜寻，找到最新官网地址：

http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/html/common/file/support/part_number_decoder/Nand_Flash.pdf

注意：此链接是pdf，但是实际是zip后缀，而下载下来的文件其却又是pdf文件。。。

所以：你打开该链接，会提示你是否保存Nand_Flash.zip，下载后，再将Nand_Flash.zip改名为Nand_Flash.pdf，就可以正常打开该pdf了。

（另外也可以去这里下载：

CSDN资源：三星Nand Flash芯片型号命名规则(Code Information)

爱问iask: 三星的nand flash芯片型号的命名规则(Code Information)

）

2.pdf内容 截图

3.从pdf中拷贝出来的文字

如下：

Samsung Nand Flash Code Information

Last Updated : August 2009

K 9 X X X X X X X X     -    X   X   X   X   X   X   X
1 2  3 4  5 6  7  8 9 10 11  12  13 14 15 16 17 18

1. Memory (K)
2. NAND Flash : 9
3. Small Classification
(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,
SM : SmartMedia, S/B : Small Block)
1 : SLC 1 Chip XD Card
2 : SLC 2 Chip XD Card
3 : 4bit MLC Mono
4 : SLC 4 Chip XD Card
5 : MLC 1 Chip XD Card
6 : MLC 2 Chip XD Card
7 : SLC moviNAND
8 : MLC moviNAND
9 : 4bit MLC ODP
A : 3bit MLC MONO
B : 3bit MLC DDP
C : 3bit MLC QDP
F : SLC Normal
G : MLC Normal
H : MLC QDP
K : SLC Die Stack
L : MLC DDP
M : MLC DSP
N : SLC DSP
O : 3bit MLC ODP
P : MLC ODP
Q : SLC ODP
R : MLC 12-die stack
S : MLC 6 Die Stack
T : SLC SINGLE (S/B)
U : MLC 16 Die Stack
W : SLC 4 Die Stack
4~5. Density（注：实际单位应该是bit，而不是Byte）
12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M
32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M
64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G
2G : 2G 4G : 4G 8G : 8G
AG : 16G BG : 32G CG : 64G
DG : 128G EG : 256G FG : 256G
GG : 384G HG : 512G LG : 24G
NG : 96G ZG : 48G 00 : NONE
6. Technology
0 : Normal (x8) 1 : Normal (x16)
C : Catridge SIP D : DDR
M : moviNAND N : moviNAND FAB
P : moviMCP T : Premium eSSD
Z : SSD
7. Organization
0 : NONE 8 : x8
6 : x16
8. Vcc
A : 1.65V~3.6V B : 2.7V (2.5V~2.9V)
C : 5.0V (4.5V~5.5V) D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)
E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V)
Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0V
S : 3.3V (3V~3.6V/ VccQ1.8V (1.65V~1.95V)
U : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V)
W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE
9. Mode
0 : Normal
1 : Dual nCE & Dual R/nB
3 : Tri /CE & Tri R/B
4 : Quad nCE & Single R/nB
5 : Quad nCE & Quad R/nB
6 : 6 nCE & 2 RnB
7 : 8 nCE & 4 RnB
8 : 8 nCE & 2 RnB
9 : 1st block OTP
A : Mask Option 1
L : Low grade
10. Generation
M : 1st Generation
A : 2nd Generation
B : 3rd Generation
C : 4th Generation
D : 5th Generation
E : 6th Generation
Y : 25th Generation
Z : 26th Generation
11. "─"
12. Package
8 : TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free, CU)
9 : 56TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free, CU)
A : COB
B : FBGA (Halogen-Free, Lead-Free)
D : 63-TBGA
E : ISM (Lead-Free, Halogen-Free)
F : WSOP (Lead-Free) G : FBGA
H : BGA (Lead-Free, Halogen-Free)
I : ULGA (Lead-Free) (12*17)
J : FBGA (Lead-Free)
K : ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (12*17)
L : ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (14*18)
M : 52-ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (13*18)
P : TSOP1 (Lead-Free)
Q : TSOP2 (Lead-Free)
R : 56-TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free)
S : TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free)
T : WSOP (Lead-Free, Halogen-Free)
U : COB (MMC)
V : WSOP W : Wafer
Y : TSOP1 Z : WELP (Lead-Free)
13. Temp
C : Commercial I : Industrial
S : SmartMedia
B : SmartMedia BLUE
0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception
handling code)
NAND Flash Code Information(2/3)
K 9 X X X X X X X X – X X X X X X X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
14. Customer Bad Block
B : Include Bad Block
D : Daisychain Sample
K : Special Handling
L : 1~5 Bad Block
N : ini. 0 blk, add. 10 blk
S : All Good Block
0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception
handling code)
15. Pre-Program Version
0 : None
Serial (1~9, A~Z)

16. Packing Type

– Common to all products, except of Mask ROM
– Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately

【表格，此处略】

17~18. Customer "Customer List Reference"

【举例说明】

K9GAG08U0M 详细信息如下:
1. Memory (K)

2. NAND Flash : 9

3. Small Classification
(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,
SM : SmartMedia, S/B : Small Block)
G : MLC Normal

4~5. Density
AG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte， 因此实际大小是16Gb=2GB)

6. Technology
0 : Normal (x8)

7. Organization
0 : NONE 8 : x8

8. Vcc
U : 2.7V~3.6V

9. Mode
0 : Normal

10. Generation
M : 1st Generation

11. "─"

12. Package
P : TSOP1 (Lead-Free)

13. Temp
C : Commercial

14. Customer Bad Block
B : Include Bad Block

15. Pre-Program Version
0 : None

整体描述就是：

K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8（即I/O是8位），大小是2GB（16Gb），TSOP1封装。

转载请注明：在路上 » Samsung的Nand Flash的ID命名规则(Code Information)，即从芯片型号(Part Number)读懂芯片详细信息 + 举例K9GAG08U0M说明