【整理】存储芯片Nand Flash：Samsung K9F1G08U0F

折腾：

【整理】天猫精灵方糖拆解报告和芯片详解

期间，对于拆解后的芯片：

SAMSUNG 810

K9F1G08U0F

SCB0

CUA006HMN

需要去研究具体信息。

K9F1G08U0F

1Gb F-die NAND Flash

Single-Level-Cell (1bit/Cell)

K9F1G08U0F-SIB0 | Samsung Semiconductor Global Website

Design to excel in heavy workload with our unrivaled SLC NAND solution

Samsung SLC NAND, suited for high-level performance, manages industrial devices that call for data integrity and top-grade reliability.

• Density：1Gb

• Org.：x8

• VCC Range：2.7 ~ 3.6 V

• I/O Speed：40 Mbps

• Package Type：TSOP

• No. of Pins：48

• Temp.：-40 ~ 85 °C

• ECC：On-Chip ECC

K9F1G08U0F-5IB0 | 三星 半导体在 中国 网站

对于：

SCB0

从spec中搜到了解释：

SLC Nand | Samsung Semiconductor Global Website

【总结】

三星的Nand Flash芯片：

SAMSUNG 810

K9F1G08U0F

SCB0

其中：

• K9F1G08U0F

• 基本介绍

• K9F1G08U0F采用128Mx8bit，是1G位NAND闪存，备用32Mbit。

• 该器件采用3.3V VCC封装。

• 其NAND单元为固态应用市场提供最具成本效益的解决方案。

• 可以在（2K + 64）字节页面上以典型的400us执行编程操作。

• 并且可以在（128K + 4K）字节块上以典型的4.5ms执行擦除操作。

• 数据寄存器中的数据可以每个字节25ns周期时间读出。

• I/O引脚用作地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。

• 片上写入控制器可自动执行所有编程和擦除功能，包括脉冲重复（如果需要）以及内部验证和数据裕量。

• K9F1G08U0F是大型非易失性存储应用的最佳解决方案，例如固态文件存储和其他需要非易失性的便携式应用。

• 参数：

• Density=容量：1Gb

• Org.=Organization=架构：x8

• VCC Range=VCC 范围：2.7 ~ 3.6 V

• I/O Speed=I/O速度：40 Mbps

• Package Type=封装类型：TSOP

• No. of Pins=针脚数目：48

• Temp.=工作温度：-40 ~ 85 °C

• ECC=ECC校验：On-Chip ECC=片上ECC

• SCB0

• K9F1G08U0F-SCB0 的 Temperature Under Bias的Rating是-10 to +125

• 对应其他的是：

• K9F1G08U0F-SxB0 的 Temperature Under Bias的Rating是-40 to +125

其他类似的型号：

Part Number    Density    Org.    VCC Range    I/O Speed    Package Type    No. of Pins    Temp.    ECC

K9F1G08U0F-5IB0    1Gb    x8    2.7 ~ 3.6 V    40 Mbps    FBGA    63    -40 ~ 85 °C    On-Chip ECC

K9F1G08U0F-SIB0    1Gb    x8    2.7 ~ 3.6 V    40 Mbps    TSOP    48    -40 ~ 85 °C    On-Chip ECC

K9F2G08U0D-5IB0    2Gb    x8    2.7 ~ 3.6 V    40 Mbps    FBGA    63    -40 ~ 85 °C    On-Chip ECC

K9F2G08U0D-SIB0    2Gb    x8    2.7 ~ 3.6 V    40 Mbps    TSOP    48    -40 ~ 85 °C    On-Chip ECC

K9F4G08U0F-5IB0    4Gb    x8    2.7 ~ 3.6 V    40 Mbps    FBGA    63    -40 ~ 85 °C    On-Chip ECC

K9F4G08U0F-SIB0    4Gb    x8    2.7 ~ 3.6 V    40 Mbps    TSOP    48    -40 ~ 85 °C    On-Chip ECC

K9F8G08U0F-5IB0    8Gb    x8    2.7 ~ 3.6 V    40 Mbps    FBGA    63    -40 ~ 85 °C    On-Chip ECC

K9K8G08U0F-SIB0    8Gb    x8    2.7 ~ 3.6 V    40 Mbps    TSOP    48    -40 ~ 85 °C    On-Chip ECC

K9WAG08U1F-SIB0    16Gb    x8    2.7 ~ 3.6 V    40 Mbps    TSOP    48    -40 ~ 85 °C    On-Chip ECC

关于Nand Flash的更多解释详见：

【详解】如何编写Linux下Nand Flash驱动

转载请注明：在路上 » 【整理】存储芯片Nand Flash：Samsung K9F1G08U0F